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新潔能

— A股代碼:605111 —

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新潔能再度榮獲“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)!

2025-09-02

近日,在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上,新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn),再次成功入選 “中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”!自2016年以來,這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮,不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場地位的認(rèn)可,更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定!  



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“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”評(píng)選由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)起,旨在表彰在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有領(lǐng)先技術(shù)、市場影響力和創(chuàng)新能力的標(biāo)桿企業(yè)。評(píng)選基于企業(yè)技術(shù)研發(fā)實(shí)力、市場占有率、產(chǎn)品可靠性及行業(yè)貢獻(xiàn)等多維度綜合評(píng)定,含金量極高。 


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作為功率器件領(lǐng)域的核心供應(yīng)商,新潔能始終專注于 “高性能、高可靠性半導(dǎo)體功率器件”的研發(fā)與生產(chǎn),不斷突破各產(chǎn)品線技術(shù)瓶頸。目前已成功推出:

1、第三代SGT  MOSFET系列產(chǎn)品,相比于第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻Ron.sp 降低30%,F(xiàn)OM值降低30%,拓寬直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、AC/DC同步整流等廣泛應(yīng)用市場。

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2、第七代IGBT系列產(chǎn)品,擁有業(yè)界領(lǐng)先水平的飽和壓降和開關(guān)損耗的折中特性和超高電流密度,以1200V/160A、650V/200A超大電流單管產(chǎn)品為主導(dǎo),不斷拓展新能源等市場應(yīng)用。

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3、第四代SJ MOSFT系列產(chǎn)品,進(jìn)一步降低特征導(dǎo)通電阻,提升器件的功率密度,在相同體積下可以大幅提升器件電流能力。同時(shí),器件加入了開關(guān)特性優(yōu)化設(shè)計(jì),可以為系統(tǒng)EMC設(shè)計(jì)提供更大的余量。此外,該系列產(chǎn)品優(yōu)化了器件的抗靜電能力,提升了系統(tǒng)應(yīng)用的可靠性。

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4、Trench MOSFET G5系列產(chǎn)品,是新潔能新推出的高集成度短溝世代產(chǎn)品,集成度較上一代產(chǎn)品提高了1.5倍以上,Rsp以P30V為例降低50%以上。

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5、第二代SiC MOSFET系列產(chǎn)品,通過創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與先進(jìn)的,碳化硅材料工藝,實(shí)現(xiàn)高溫工況下導(dǎo)通電阻特性的大幅優(yōu)化,顯著提升系統(tǒng)效率與可靠性,其雪崩耐量參數(shù)達(dá)到業(yè)界頂尖水平,可完美適配新能源汽車電驅(qū)、大功率充電模塊、工業(yè)變頻器等高頻、高精度場景,并通過超越AEC-O101等車規(guī)級(jí)認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性驗(yàn)證,確保產(chǎn)品在極端溫度、機(jī)械應(yīng)力及長期負(fù)載下的穩(wěn)定表現(xiàn)。

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6、IGBT系列模塊搭載第七代IGBT芯片,實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更低開關(guān)/導(dǎo)通損耗,低雜散電感設(shè)計(jì),更低的熱阻,拓寬光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用市場。

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7、柵極驅(qū)動(dòng):涵蓋硅基、碳化硅、氮化鎵等功率器件驅(qū)動(dòng),電壓范圍覆蓋25V~700V,近200款驅(qū)動(dòng)覆蓋Infineon/ON/TI全系列產(chǎn)品;

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智能功率模塊(IPM):提供業(yè)內(nèi)功率密度最大的半橋模塊,實(shí)現(xiàn)“器件集成化、保護(hù)內(nèi)置化、控制智能化”三大突破;

智能功率開關(guān):涵蓋過流/過溫保護(hù)、雙通道、過壓保護(hù)、失地保護(hù)、狀態(tài)診斷、負(fù)載開路保護(hù)、斜率控制等,能夠?qū)崿F(xiàn)高度集成化、主動(dòng)安全防護(hù)、數(shù)字智能控制等;

高邊靜態(tài)驅(qū)動(dòng):可提供100%占空比驅(qū)動(dòng)高邊NMOS,在安全性、可靠性、和設(shè)計(jì)便捷性方面,全面超越了傳統(tǒng)的開關(guān)方案;

音頻功放(ClassD):提供高達(dá)300V/600V耐壓的Class D功放驅(qū)動(dòng),正快速取代傳統(tǒng)模擬功放。


未來,新潔能將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),深耕功率半導(dǎo)體技術(shù),為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與解決方案,助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展!